GaN-Leistungselektronik für bidirektionales, einphasiges DC-Laden von Elektrofahrzeugen
GaN-Leistungselektronik kombiniert Leistungs-, Effizienz- und
Kostenvorteile und spielt für die Energiewende eine zentrale
technologische Rolle. Im Rahmen der PCIM Expo & Conference 2026
präsentiert das Fraunhofer IAF vom 9. bis 11. Juni in Nürnberg neueste
Entwicklungen im Bereich der GaN-Leistungselektronik – als Highlight den
Demonstrator eines bidirektionalen, einphasigen 800-V-DC-Ladegeräts für
E-Autos. Er wurde im Rahmen des BMWE-Projekts GaN4EmoBiL vom
Projektpartner Ambibox entwickelt und enthält ein 1200-V-GaN-Modul des
Fraunhofer IAF.
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