Neues Center der Halbleiter-Forschung in Dresden eröffnet
Ein Leuchtturm der Halbleiterforschung mit internationaler Reichweite
entsteht in Dresden. Mit Etablierung des Centers for Advanced CMOS &
Heterointegration Saxony bündeln das Fraunhofer IPMS und das Fraunhofer
IZM-ASSID ihre Kompetenzen. Sie bieten künftig die komplette
Wertschöpfungskette in der 300 mm Mikroelektronik und damit die
Voraussetzung für Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien.
Mit dem Fraunhofer IZM-ASSID und Fraunhofer IPMS, Bereich Center
Nanoelectronic Technologies CNT, sind zwei bundesweit einzigartige
Forschungseinrichtungen auf dem Gebiet der Mikroelektronik in Sachsen
angesiedelt. Es sind heute die beiden einzigen deutschen Forschungszentren
für angewandte Mikroelektronikforschung, die auf Basis von 300 mm Wafer-
Industriestandard-Equipment forschen.
Mit der Bündelung der Kompetenzen und Gründung des Centers for Advanced
CMOS & Heterointegration Saxony entstehen hervorragende Perspektiven,
Halbleiter-Unternehmen und Systemanwender sowie Material- und
Anlagenhersteller weltweit anzuziehen und an Silicon Saxony zu binden. Für
Industrie- und Forschungsaufträge sind neben hervorragendem Personal und
Know-how eine Ausstattung mit einem modernen Geräte- und Anlagenpark
entscheidend.
Mit einem Investitionsvolumen von etwa 140 Mio. € in Reinraum-Anlagen ist
das Fraunhofer IPMS in Deutschland einmalig im Bereich der angewandten
Forschung auf dem modernen 300 mm Wafer-Industriestandard im Frontend der
CMOS-Herstellung positioniert. Das Fraunhofer IZM-ASSID ergänzt diese
Expertise mit innovativen Packaging- und Systemintegrations-Technologie
Geleitet wird das Center künftig von Dr. Wenke Weinreich, Bereichsleiterin
am CNT und stellvertretende Institutsleiterin des Fraunhofer IPMS, sowie
Dr. Manuela Junghähnel, Standortleiterin am IZM-ASSID.
Investitionen für Zukunftstechnologien
»Das gemeinsame Center mit einem Reinraum von 4000 m² Größe ermöglicht
eine enge Kooperation und Verzahnung der wissenschaftlich-technischen
Kompetenzen beider Forschungseinrichtungen. Dadurch entsteht eine
herausragende R&D-Technologieplattform sowie eine Effizienzsteigerung und
Vervollständigung der Wertschöpfungskette, welche zugleich neue
Forschungsfelder eröffnet«, erklärt Dr. Manuela Junghähnel. Dr. Wenke
Weinreich fügt hinzu: »Der 300 mm Wafer-Industriestandard ist
entscheidend, denn nur so kann einerseits ein schneller Transfer von
Forschungsergebnissen in die Halbleiter-Industrie Sachsens, bundesweit und
auch weltweit gewährleistet werden. Andererseits ist dieser Waferstandard
auch Grundvoraussetzung für die Hightech-Forschung für
Zukunftstechnologien, wie Neuromorphic und Quantencomputing.«
Feierliche Eröffnung
Das Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony wird heute
feierlich eröffnet. Es entsteht am Standort des Fraunhofer IPMS, An der
Bartlake 5 in Dresden, im neuen, 4000 m² großen Reinraum. Sachsens
Ministerpräsident Michael Kretschmer: »Sachsen ist einer der führenden
Mikroelektronik-Standorte in Europa. Jeder Dritte europäische Chip wird im
Freistaat produziert. Mit dem European Chips Act hat die EU die Weichen
für weitere Investitionen gestellt. Sachsen setzt auf eine enge Vernetzung
von Wirtschaft, Wissenschaft und Forschung. Das neue Fraunhofer-Center für
Halbleiter-Forschung ist einmalig in Deutschland und wird einen
entscheidenden Beitrag für Innovationen im Silicon Saxony leisten. In
Dresden findet zukünftig angewandte Mikroelektronik-Forschung mit
hochmodernen 300mm Wafern auf Weltniveau statt. Hightech-Forschung für
Zukunftstechnologien sichert Innovationskraft und Wohlstand im Freistaat.
Ich danke der Fraunhofer-Gesellschaft für ihr klares Bekenntnis zum
Standort Sachsen.«
Auch der Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft, Prof. Dr. Reimund
Neugebauer, zeigt sich begeistert: »Das neue Center for Advanced CMOS &
Heterointegration Saxony ist ein exzellentes Beispiel für eine proaktive
Gestaltung der europäischen Entwicklung von Halbleitertechnologien und
leistet einen wichtigen Beitrag zur Sicherung unserer technologischen
Souveränität. Durch die Zusammenführung der exzellenten wissenschaftlich-
technischen Kompetenzen bildet das Zentrum zukünftig die gesamte
Wertschöpfungskette der Halbleiter-Technologien effizient ab - von der
Forschung über die Pilotfertigung auf 300 Millimeter großen
Siliziumscheiben bis hin zur Kontaktierung und zur Endmontage.«
Für die zukünftige Weiterentwicklung der notwendigen Kompetenzen in der
Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik werden die R&D-Angebote des
Fraunhofer IZM-ASSID und Fraunhofer IPMS hinsichtlich der 300 mm
Prozesskompetenzen so gestaltet und ausgebaut, dass die lokale und
nationale Industrie von KMUs bis zu Großunternehmen (z.B. Globalfoundries,
Infineon, Bosch) von den modernsten Technologien bestmöglich profitieren
kann. Die Integrationsplattform wird darüber hinaus auch in
kundenspezifischen Projekten im Rahmen des Leistungszentrums
»Funktionsintegration für die Mikro-/Nanoelektronik« und in der
Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) genutzt.
Mit einem positiven Blick auf diese Vernetzung schließt
Wissenschaftsminister Sebastian Gemkow: »Für die Zukunft der
Mikroelektronikforschung und -technolologieentwicklung in Dresden,
Sachsen, Deutschland und Europa ist die Eröffnung des CNT ein Meilenstein.
In gemeinsamer Kraftanstrengung von Fraunhofer-Gesellschaft, Bund und
Freistaat Sachsen ist es gelungen, eine der führenden
Forschungseinrichtungen im Bereich der 300mm-Technologie nachhaltig zu
sichern. IPMS-CNT und IZM-ASSID setzen im Rahmen des Centers for Advanced
CMOS & Heterointegration auf strategische und vertiefte Zusammenarbeit. So
wird ‚Silicon Saxony‘ weiter gestärkt und wird künftig wichtige Beiträge
zur Bearbeitung der Zukunftsthemen in der Mikroelektronik leisten.«
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Über das Center Nanoelectronic Technologies
Das Center Nanoelectronic Technologies (CNT) ist ein Geschäftsbereich des
Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS. Es leistet
angewandte Forschung auf 300-mm-Wafern für Mikrochip-Produzenten,
Zulieferer, Gerätehersteller und F&E-Partner. Zur Bearbeitung der
Kundenaufträge stehen auf 4000 m² Reinraumfläche der Klasse 6 und 3 (nach
ISO 14644-1) sowie Laborflächen für über 80 Prozessierungs- und
Analytiktools zur Verfügung. Der Anlagenpark umfasst unter anderem
Abscheide- und Ätzanlagen sowie Inspektions- und Analysegeräte zum
Bestimmen von Defekten und dem Messen von Schichteigenschaften.
Über das Fraunhofer IZM-ASSID
Das Fraunhofer IZM-ASSID, ein Institutsteil des Fraunhofer IZM, verfügt
über eine dem neusten Stand der Technik entsprechende 200-300 mm-
Technologielinie für die 3D-Wafer-Level-Systemintegrati
der Kupfer-Through-Silicon-Via (Cu-TSV)-Technologie. Die Prozesslinie am
Fraunhofer IZM-ASSID ist insbesondere auf eine fertigungsnahe und
industriekompatible Entwicklung und Prozessierung (ISO 9001) ausgelegt.
Bestandteile der Linie sind Prozessmodule für die TSV-Formierung, für das
Post-TSV-Processing, das Pre-Assembly (Dünnen und Vereinzeln), die 3D
Stack Formierung. Die Konzeption der Linie erlaubt sowohl eine
anwendungsbezogene Entwicklung von Prozessen als auch die Qualifikation
und Prototypenfertigung für 3D-Wafer-Level-System System in Packages.
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